TSMC SMAJ78A
" (3677)SMAJ78A RoHS符合性证书
本文件为Littelfuse公司关于产品SMAJ78A的RoHS合规性证书。证书声明该产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB)或多溴联苯醚(PBDE)等有害物质,且不含有害塑化剂(如DEHP、BBP、DBP和DIBP)超过规定的阈值。证书由全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签发,有效期为2019年4月26日。证书信息基于供应商提供的信息,并提供了联系方式以获取更多信息。
SMAJ78A REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC)No 1907/2006的声明,涉及SMAJ78A产品系列/零件号,该产品含有在附件1b中列出的物质,其浓度超过0.1%重量比。声明中提到,根据REACH法规,目前有197种高度关注物质(SVHC)的候选清单。此声明不影响任何现有合同或购买协议。声明由Jennilyn Dinglasan-Santos签署,日期为2019年4月26日。
P4SMAJ78A SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SMAJ78CA REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC)No 1907/2006的声明,涉及产品系列/零件编号SMAJ78CA,该产品含有在附录1b中列出的物质,其浓度超过0.1%重量比。声明中提到,根据REACH法规,该物质符合第57条标准,并按照第59(1)条进行识别。截至2018年6月27日,候选清单中有191种高度关注物质(SVHC)。此声明不影响任何现有合同或购买协议。声明由全球EH&S经理Arsenio M. Cesista Jr.签署。
SMAJ78CA RoHS合规证书
本文件为Littelfuse公司关于其产品SMAJ78CA的RoHS合规性证书。证书声明该产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB)和多溴联苯醚(PBDE)等有害物质,且不含有害塑化剂(如DEHP、BBP、DBP和DIBP)。证书由Littelfuse全球环境、健康与安全经理Arsenio M. Cesista Jr.签署,并提供了联系方式和日期。证书基于供应商提供的信息,并提供了进一步信息请求的联系方式。
SMAJ78CATVS二极管SMA Suf MT T&R RoHS实验室分析报告和认证
本报告为Littelfuse公司生产的TVS二极管SMAJ78CA的RoHS合规性分析报告和认证。报告确认该产品及其相关材料符合欧盟RoHS指令(EU)2015/863关于限制在电气和电子设备中使用某些有害物质的要求。报告详细列出了产品材料成分及其适用的RoHS豁免情况,并提供查看第三方RoHS验证报告的下载步骤。
台积电6厂成品晶圆CE/2018/C4084 SGS测试报告
本报告为SGS出具的一份测试报告,编号为CE/2018/C4084,日期为2018年12月28日。报告内容涉及台湾半导体制造公司(TSMC)提交的TSMC FAB 6完成晶圆的测试结果。测试项目包括有害物质如镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、DEHP、BBP、DBP、DIBP等,以及卤素、多氯联苯、多氯萘、多氯联苯、多氯杂环芳烃、三丁基锡、双(三丁基锡)氧化物、三苯基锡、二丁基锡、二辛基锡、偶氮染料、石棉、氯氟烃、氢氯氟烃、卤代烷、卤代烃等。测试结果显示,所有检测物质均符合RoHS指令(EU)2015/863修正案附件II中规定的限值。
台积电晶圆厂14A成品晶圆(SGS)测试报告(CE/2019/C0366)
本报告为SGS出具的一份测试报告,编号为CE/2019/C0366,日期为2019年12月26日。报告内容涉及台湾半导体制造公司(TSMC)提交的样品,包括TSMC FAB 14A完成的晶圆。测试项目包括有害物质如镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、DEHP、BBP、DBP、DIBP等,以及卤素、多氯联苯、多氯萘、多氯联苯、多氯杂环芳烃、三丁基锡、三苯基锡、二丁基锡、二辛基锡、双(三丁基锡)氧化物、偶氮染料等。所有测试结果均符合RoHS指令(EU)2015/863修订附件II至指令2011/65/EU的规定限制。
台积电同质晶圆RoHS/绿色认证
本文件为SiTime公司关于使用TSMC同质晶圆的RoHS/Green合规证书,文档编号为QI-21 Rev: D01。文件内容包括目的和范围、参考文档、信息以及同质材料成分表。主要目的是证明同质物质符合RoHS/Green标准,并声明无高度关注物质(SVHC)。文件附有SGS分析报告,证明TSMC晶圆使用的同质材料符合RoHS和Green标准。
NB7V52MMNTXG材料成分声明
本资料为Onsemi公司对其产品中含有的物质进行声明的文件。文件详细列出了产品中各种材料的成分、含量、CAS编号等信息,并声明产品符合欧盟RoHS指令的要求。同时,文件还提供了产品的制造信息,如制造地点、重量等。
Reliability Report TSMC 0.25u 1P5M Logic/PCI9X56-BA66BI
台积电15A晶圆厂成品CE/2018/C4089(SGS)测试报告
本报告为SGS台湾有限公司出具的一份测试报告,编号为CE/2018/C4089,日期为2018年12月28日。报告内容涉及台湾半导体制造公司提交的TSMC FAB 15A成品晶圆样品的测试结果。测试项目包括有害物质如镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、DEHP、BBP、DBP、DIBP等,以及卤素、多氯联苯、多氯萘、多氯联苯、烷烃、三丁基锡、二丁基锡、二异辛基锡、三苯基锡、二苯基锡、偶氮染料、石棉、氯氟烃、氢氯氟烃、卤代烷、溴代烷、氢溴氟烃等。测试结果显示,样品中所有测试项目的含量均符合RoHS指令(EU)2015/863修订附件II至指令2011/65/EU的规定限值。
NB7V52MMNG材料成分声明
本资料为Onsemi公司对其产品中含有的物质进行声明的文件。文件详细列出了产品中各种材料的成分、含量、CAS编号等信息,并声明产品符合RoHS指令的要求。同时,文件还提供了产品的重量、制造地点、温度等信息。
NB7V52MMNHTBG材料成分声明
本资料为Onsemi公司对其产品中含有的物质进行声明的文件。文件详细列出了产品中各种材料的成分、含量、CAS编号等信息,并声明产品符合欧盟RoHS指令的要求。同时,文件还提供了产品的制造信息,如制造地点、重量等。
Mate rial Composition Declaration TSMC,1-4 MLL TO PECL
MC33897T, TSMC Silicon Errata
3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
SMAJ HV SERIES 400W, 200V - 440V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
SMAJ5.0(A) -SMAJ188(A) 400W, 5V -188V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
more version(s)
Denali Low-Power DDR PHY IP for TSMC Design IP Datasheet
Denali High-Speed DDR PHY IP for TSMC Design IP Datasheet
112Gbps Long-Reach SerDes IP for TSMC 7nm Design IP Datasheet
PGSMAJ5.0A -PGSMAJ100A 400W, 5V -100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
PC5674F迁移至台积电晶圆厂和铜线键合产品变更通知(GC183122)
Teledyne e2v半导体公司宣布,其产品PC5674F将迁移至台积电(TSMC)晶圆厂生产,并采用铜线键合技术。此次变更旨在优化采购流程,提高客户需求满足能力。产品外观、尺寸和功能将保持不变。产品编号和标识将更新为PC5674FK4MZP3,数据表也将相应更新。预计2019年3月提供样品。
PROCESS CHANGE NOTIFICATION PCN0513 ADDITIONAL TSMC WAFER FABRICATION SITE
WP2002-01 Qualified TSMC Fab 6 as An Alternate Fab Location Product Change Notice (PCN)
Process Change Notice #1011021 MCU Fabrication-TSMC Fab10 &Assembly Capacity Expansion –ASECL
PROCESS CHANGE NOTIFICATION PCN0716 ADDITIONAL TSMC WAFER FABRICATION SITE FOR STRATIX® GX FPGAs
QQQX2.E326243 Electrically Isolated Semiconductor Devices - Component
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FPQU2.E478892 Optical Isolators - Component
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QVGQ2.E485897 Isolated Loop Circuit Protectors - Component
QQIJ2.E326854 Power Supplies, Specialty - Component
Conflice Minerals Policy - Responsible Global Supply Chain Management
Soldering Process TAIWAN SEMICONDU CTOR RECOMMENDED SOLDERING PROCESS FOR SURFACE MOUNTED AND AXIAL-LEADED COMPONENTS
表面贴装包装按照EIA/JEDEC标准RS-481包装
本资料详细介绍了表面贴装封装(Surface Mount Packaging)的相关标准,包括EIA/JEDEC RS-481标准下的卷带尺寸、封装类型、最大最小尺寸等参数。资料涵盖了多种封装类型,如SMAF、Micro-SMA、Sub SMA、SOT-23等,并提供了不同尺寸和规格的具体数据。此外,资料还包含了不同封装类型的卷带尺寸、D、E、P0等关键尺寸参数,以及产品类型、卷带尺寸、B1最大值、D1最小值等详细信息。
AXIAL LEAD TAPING SPECIFICATIONS FOR RECTIFIERS
TO-92弹药包规格
本资料详细介绍了TO-92封装规格,包括尺寸、封装类型、包装数量等。资料中列出了不同产品的包装规格,如Ammo Pack、TS-1、DO-41等,并提供了相应的包装尺寸和数量信息。
AMMO PACK SPECIFICATIONS FOR TO-92
包装信息
本资料详细介绍了多种元器件的包装信息,包括卷带包装、弹药箱包装、散装包装和托盘包装。资料中列出了不同类型元器件的包装代码、包装描述、卷带数量、内盒数量、纸箱数量、纸箱尺寸和毛重等信息。涵盖了0603、0805、1206等尺寸的电阻、电容、二极管等元器件,以及TO-263、SOT-23、SOP-8等封装形式的IC。
TS19340CS14 USER MANUAL
TS19820CS USER MANUAL
TS19706CS USER MANUAL
TS19730CX6 USER MANUAL
TS19751 USER MANUAL
AN-1001 Understanding Power MOSFET Parameters
AN-1002 How to Check SOA of MOSFET
台积电7nm FinFET设计IP手册25Gbps多链路多协议物理层
Cadence® 25Gbps 多链路多协议PHY IP针对TSMC 7nm工艺,是一款高性能SerDes,适用于基础设施和数据中心应用。该SerDes支持1.25至25Gbps的运行速度,具有低功耗、长距离均衡能力,适用于时间敏感的应用。该PHY IP提供多种协议混合配置的灵活性,支持PCIe、USB 3.1、10G-KR、SATA、SGMII等,并集成了多种测试功能。它易于集成到SoC中,与Cadence控制器无缝连接,支持多种配置,适用于高可靠性设计。
SMAJ58A PcbLib & SchLib & IntLib
SMAJ50CA PcbLib & SchLib & IntLib
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